碳化硅偏硅
碳化硅偏硅的現象：
碳化硅在生產完成之后，需要進行一個重要的環節，出爐分析。出爐分析有助于提高下一步的產量，以及質量。正常的結晶塊，綠爐為綠色，黑爐為黑色，結晶有光澤，閃閃發光，呈鏈狀結構，顆粒內大外小，分解層適度，無白毛和炭粒夾雜，結晶筒直徑均勻，尺寸適度。
碳化硅偏硅的分類：
碳化硅偏硅分為局部偏硅，整體偏硅2種。
碳化硅偏硅特點：
其特征是結晶中有白毛，結晶層內壁出現空腔，空腔中生成大片結晶，結晶塊強度小，結晶層中無炭粒，分解石墨少，爐電阻大，工作電壓高。電流小，冶煉時爐上冒白煙（硅化劑蒸氣），甚至噴爐。
碳化硅偏硅的原因：
混料不均、局部硅過量，爐芯表面負荷大，使分解層增層，爐料配比硅過量，焙燒料或混合料在運輸加工過程中的碳損失，加的碳化硅粉過多，使爐料透氣性變壞，碳蒸氣不能正常外逸等。此外，冷卻澆水過急，也會使碳化硅氧化產生白毛，嚴峻的有塊狀二氧化硅。在供電過程中已發現有硅過量跡象，應適當降低冶煉功率，以減少石墨分解。
碳化硅局部偏硅過量：
結晶層中既有白毛又有炭粒是混料不均造成的典型特征。產生原因是混料時間或次數不夠，或是混料機進料邊出料所致。解決措施是延長混料時間或增加混料次數，或是改進操作方法。
碳化硅偏硅的解決方法：
針對碳化硅偏硅分析數據，做出調整，及時處理出現問題，對碳化硅廠家經濟效益有著極其重要作用。